SIA459EDJ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIA459EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIA459EDJ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventario:

15828 Pcs Nuevos Originales En Stock
13008977
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIA459EDJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
885 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA459

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay

SUD50N04-16P-E3

MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252

vishay

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

vishay

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

vishay

SIHH14N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8