Número de Producto del Fabricante:
SI8469DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8469DB-T2-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventario:
13062100
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ENVIAR
SI8469DB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-UFBGA
Número de producto base
SI8469
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1CT
SI8469DB-T2-E1TR
SI8469DB-T2-E1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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