Número de Producto del Fabricante:
SUP80090E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUP80090E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12915941
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ENVIAR
SUP80090E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
ThunderFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
128A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3425 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SUP80090
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SUP80090E-GE3CT-DG
SUP80090E-GE3TR-DG
SUP80090E-GE3TRINACTIVE
SUP80090E-GE3TR
SUP80090E-GE3DKRINACTIVE
SUP80090E-GE3DKR
SUP80090E-GE3DKR-DG
SUP80090E-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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