Número de Producto del Fabricante:
SUD70090E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD70090E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12920615
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ENVIAR
SUD70090E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Bulk
Serie
ThunderFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD70090
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK33S10N1Z,LQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1940
NÚMERO DE PIEZA
TK33S10N1Z,LQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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