Número de Producto del Fabricante:
SUD50P10-43L-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD50P10-43L-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
4019 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787259
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ENVIAR
SUD50P10-43L-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Dibujos de productos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SUD50P10-43L-GE3DKR
SUD50P10-43L-GE3TR
SUD50P10-43L-GE3CT
SUD50P10-43L-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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