SUD50P04-23-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SUD50P04-23-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SUD50P04-23-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 8.2A (Ta), 20A (Tc) 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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SUD50P04-23-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.2A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1880 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD50

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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