Número de Producto del Fabricante:
SUD50N02-09P-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD50N02-09P-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 20A (Ta) 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12786289
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SUD50N02-09P-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD50
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SUD45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO252
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
SQJ403BEEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
