Número de Producto del Fabricante:
SUD06N10-225L-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUD06N10-225L-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.5A (Tc) 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12954418
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ENVIAR
SUD06N10-225L-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SUD06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Dibujos de productos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SUD06N10-225L-GE3CT
SUD06N10-225L-GE3-DG
SUD06N10-225L-GE3DKR
SUD06N10-225L-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDD1600N10ALZ
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6334
NÚMERO DE PIEZA
FDD1600N10ALZ-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SUD20N10-66L-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
6204
NÚMERO DE PIEZA
SUD20N10-66L-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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