Número de Producto del Fabricante:
SQS850EN-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQS850EN-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
2011 Pcs Nuevos Originales En Stock
12966017
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ENVIAR
SQS850EN-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21.5mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2021 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SQS850
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQS850EN-T1_GE3TR
SQS850EN-T1_GE3DKR
SQS850EN-T1_GE3CT
SQS850EN-T1_GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQS850EN-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2990
NÚMERO DE PIEZA
SQS850EN-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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