SQJB90EP-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJB90EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJB90EP-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventario:

940 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787107
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQJB90EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
21.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200pF @ 25V
Potencia - Máx.
48W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SQJB90

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQJB90EP-T1_GE3CT
SQJB90EP-T1_GE3DKR
SQJB90EP-T1_GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR

vishay-siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

vishay-siliconix

SI8902EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6MICROFOOT

vishay-siliconix

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212