Número de Producto del Fabricante:
SQJ960EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJ960EP-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventario:
4430 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917772
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ENVIAR
SQJ960EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
735pF @ 25V
Potencia - Máx.
34W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SQJ960
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1_GE3DKR
SQJ960EP-T1-GE3-DG
SQJ960EP-T1_GE3CT
SQJ960EP-T1_GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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