Número de Producto del Fabricante:
SQD40030E_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQD40030E_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12786933
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQD40030E_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SQD40030
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SQD40030E_GE3-DG
SQD40030E_GE3CT
SQD40030E_GE3DKR
SQD40030E_GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SUP85N15-21-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
