SQ4917CEY-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ4917CEY-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ4917CEY-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

3785 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989655
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SQ4917CEY-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1910pF @ 30V
Potencia - Máx.
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SQ4917

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
742-SQ4917CEY-T1_GE3TR
742-SQ4917CEY-T1_GE3CT
742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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