SQ4153EY-T1_BE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ4153EY-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ4153EY-T1_BE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

474 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954970
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQ4153EY-T1_BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
7.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SQ4153

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
742-SQ4153EY-T1_BE3TR-
742-SQ4153EY-T1_BE3CT
742-SQ4153EY-T1_BE3TR
742-SQ4153EY-T1_BE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SQ4153EY-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
560
NÚMERO DE PIEZA
SQ4153EY-T1_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FCPF380N60E-F154

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3

infineon-technologies

IPD90P04P405ATMA2

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

renesas-electronics-america

H5N2305P-E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

vishay-siliconix

IRFBG20PBF-BE3

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB