SQ3426EV-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ3426EV-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ3426EV-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

41802 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787212
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQ3426EV-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SQ3426

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQ3426EV-T1_GE3CT
SQ3426EV-T1_GE3TR
SQ3426EV-T1_GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SQ3426CEV-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2395
NÚMERO DE PIEZA
SQ3426CEV-T1_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SQ3426EV-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1671
NÚMERO DE PIEZA
SQ3426EV-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQP100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

vishay-siliconix

SUP40N10-30-E3

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N65E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220