SQ2364EES-T1_BE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ2364EES-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ2364EES-T1_BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

4499 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977797
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQ2364EES-T1_BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQ2364EES-T1_BE3TR
742-SQ2364EES-T1_BE3CT
742-SQ2364EES-T1_BE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIHP6N80E-BE3

N-CHANNEL 800V

vishay-siliconix

SQJ457EP-T1_BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJ170ELP-T1_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJ415EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET