Número de Producto del Fabricante:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ1922AEEH-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 850mA (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventario:
23271 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917885
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQ1922AEEH-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
850mA (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Número de producto base
SQ1922
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQ1922AEEH-T1_GE3TR
SQ1922AEEH-T1_GE3CT
SQ1922AEEH-T1_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SI4974DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6A/4.4A 8SOIC