SIZ926DT-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIZ926DT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIZ926DT-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

Inventario:

12786316
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ENVIAR

SIZ926DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc), 60A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potencia - Máx.
20.2W, 40W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base
SIZ926

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ926DT-T1-GE3TR
SIZ926DT-T1-GE3DKR
SIZ926DT-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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