Número de Producto del Fabricante:
SISS65DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SISS65DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
12786336
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SISS65DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25.9A (Ta), 94A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SISS65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISS65DN-T1-GE3DKR
SISS65DN-T1-GE3CT
SISS65DN-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
V30408-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIHP17N60D-E3
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
SISS05DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
