Número de Producto del Fabricante:
SISS28DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SISS28DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
5980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786237
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SISS28DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3640 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SISS28
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISS28DN-T1-GE3DKR-DG
SISS28DN-T1-GE3TR-DG
SISS28DN-T1-GE3TR
742-SISS28DN-T1-GE3TR
SISS28DN-T1-GE3CT
742-SISS28DN-T1-GE3CT
742-SISS28DN-T1-GE3DKR
SISS28DN-T1-GE3CT-DG
SISS28DN-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
