Número de Producto del Fabricante:
SISF20DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SISF20DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventario:
12920684
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ENVIAR
SISF20DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1290pF @ 30V
Potencia - Máx.
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Número de producto base
SISF20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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