Número de Producto del Fabricante:
SIS176LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS176LDN-T1-GE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
19887 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950360
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ENVIAR
SIS176LDN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
70 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3.3V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 35 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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