SIR840DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIR840DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIR840DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

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SIR840DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR840

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR840DPT1GE3
SIR840DP-T1-GE3TR
SIR840DP-T1-GE3CT
SIR840DP-T1-GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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