SIR662DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIR662DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIR662DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

12920197
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIR662DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4365 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR662

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Dibujos de productos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
RS3L045GNGZETB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1173
NÚMERO DE PIEZA
RS3L045GNGZETB-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TPH7R006PL,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
54092
NÚMERO DE PIEZA
TPH7R006PL,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RS1L145GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1003
NÚMERO DE PIEZA
RS1L145GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

nexperia

PMBF170,235

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

vishay-siliconix

SI5449DC-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC