SIR5710DP-T1-RE3
Número de Producto del Fabricante:

SIR5710DP-T1-RE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIR5710DP-T1-RE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 7.8A (Ta), 26.8A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

12987256
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIR5710DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.8A (Ta), 26.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
770 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR5710DP-T1-RE3DKR
742-SIR5710DP-T1-RE3CT
742-SIR5710DP-T1-RE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FDMS86200
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
21294
NÚMERO DE PIEZA
FDMS86200-DG
PRECIO UNITARIO
0.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
RS6R060BHTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
4875
NÚMERO DE PIEZA
RS6R060BHTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

toshiba-semiconductor-and-storage

TW015N65C,S1F

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH

renesas-electronics-america

2SK3714-S12-AZ

2SK3714-S12-AZ - SWITCHING N-CHA

vishay-siliconix

SQ3419AEEV-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET