Número de Producto del Fabricante:
SIR1309DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR1309DP-T1-GE3-DG
Descripción:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
5162 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976043
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIR1309DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3250 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR1309DP-T1-GE3TR
742-SIR1309DP-T1-GE3DKR
742-SIR1309DP-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
SQA411CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
SQJQ130EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
