Número de Producto del Fabricante:
SIJH5800E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIJH5800E-T1-GE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventario:
4025 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001695
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ENVIAR
SIJH5800E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 302A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7730 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
PowerPAK® 8 x 8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SIJH5800E-T1-GE3DKR
742-SIJH5800E-T1-GE3CT
742-SIJH5800E-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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