Número de Producto del Fabricante:
SIJ450DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIJ450DP-T1-GE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 45 V 36A (Ta), 113A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12958712
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIJ450DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
45 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5920 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIJ450DP-T1-GE3DKR
742-SIJ450DP-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
MCP20N70-BP
MOSFET N-CH
