Número de Producto del Fabricante:
SIHW61N65EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHW61N65EF-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventario:
12965790
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ENVIAR
SIHW61N65EF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7407 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHW61
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
480
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW72N60DM2AG
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
600
NÚMERO DE PIEZA
STW72N60DM2AG-DG
PRECIO UNITARIO
6.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPW60R040C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
464
NÚMERO DE PIEZA
IPW60R040C7XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
6.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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