Número de Producto del Fabricante:
SIHU7N60E-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHU7N60E-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
12921029
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ENVIAR
SIHU7N60E-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
SIHU7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPSA70R600P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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