Número de Producto del Fabricante:
SIHP6N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP6N65E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12919205
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ENVIAR
SIHP6N65E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SIHP6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPA11N80C3XKSA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
206
NÚMERO DE PIEZA
SPA11N80C3XKSA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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