Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SIHP28N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP28N65E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12787750
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHP28N65E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
112mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3405 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SIHP28
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIHP28N65E-GE3
Hoja de datos HTML
SIHP28N65E-GE3-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCP125N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
253
NÚMERO DE PIEZA
FCP125N60E-DG
PRECIO UNITARIO
2.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STP34NM60ND
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
969
NÚMERO DE PIEZA
STP34NM60ND-DG
PRECIO UNITARIO
5.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPP60R125CPXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4944
NÚMERO DE PIEZA
IPP60R125CPXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPP60R099P7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1904
NÚMERO DE PIEZA
IPP60R099P7XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
SIHF35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SIS496EDNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8