Número de Producto del Fabricante:
SIHP25N50E-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP25N50E-BE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 500V
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
2989 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977906
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ENVIAR
SIHP25N50E-BE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1980 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-SIHP25N50E-BE3TR-DG
742-SIHP25N50E-BE3DKR-DG
742-SIHP25N50E-BE3CT-DG
742-SIHP25N50E-BE3TR
742-SIHP25N50E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3
742-SIHP25N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3CT
742-SIHP25N50E-BE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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