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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SIHG73N60E-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG73N60E-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12916918
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ENVIAR
SIHG73N60E-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
73A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
362 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG73
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIHG73N60E
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK62N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
102
NÚMERO DE PIEZA
TK62N60X,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
5.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SCT3030ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
10017
NÚMERO DE PIEZA
SCT3030ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
21.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW62NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
43
NÚMERO DE PIEZA
STW62NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
11.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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