SIHG460B-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHG460B-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHG460B-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

12920652
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIHG460B-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3094 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG460

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO

vishay-siliconix

SI5441DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

vishay-siliconix

SQR97N06-6M3L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SQM120N04-1M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263