Número de Producto del Fabricante:
SIHG105N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG105N60EF-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
463 Pcs Nuevos Originales En Stock
13140849
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ENVIAR
SIHG105N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
EF
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1804 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG105
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
742-SIHG105N60EF-GE3
742-SIHG105N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHG105N60EF-GE3TR-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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