Número de Producto del Fabricante:
SIHA2N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHA2N80E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
25 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786419
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ENVIAR
SIHA2N80E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SIHA2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHA2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHA2N80E-GE3DKR-DG
SIHA2N80E-GE3CT
SIHA2N80E-GE3TR
SIHA2N80E-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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