SIHA25N50E-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHA25N50E-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHA25N50E-GE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 500V
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventario:

1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977828
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIHA25N50E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1980 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SiHA25N50E

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHA25N50E-GE3TR
742-SIHA25N50E-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
diodes

DMP3021SSS-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

vishay-siliconix

SI2365EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA18N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2392ADS-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET