Número de Producto del Fabricante:
SIHA21N80AEF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHA21N80AEF-GE3-DG
Descripción:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
1006 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965600
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHA21N80AEF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1511 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-SIHA21N80AEF-GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
TK7R0E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
TK2R4A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM