SIF912EDZ-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SIF912EDZ-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIF912EDZ-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)

Inventario:

12915834
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SIF912EDZ-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.6W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® 2x5
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® (2x5)
Número de producto base
SIF912

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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