Número de Producto del Fabricante:
SIE810DF-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIE810DF-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventario:
12920451
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ENVIAR
SIE810DF-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
10-PolarPAK® (L)
Paquete / Caja
10-PolarPAK® (L)
Número de producto base
SIE810
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIE810DF-T1-GE3CT
SIE810DF-T1-GE3DKR
SIE810DF-T1-GE3-DG
SIE810DF-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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