Número de Producto del Fabricante:
SIDR668DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIDR668DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventario:
10701 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914868
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ENVIAR
SIDR668DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23.2A (Ta), 95A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIDR668
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIDR668DP-T1-GE3DKR
SIDR668DP-T1-GE3TR
SIDR668DP-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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