Número de Producto del Fabricante:
SIB911DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIB911DK-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Inventario:
12920253
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ENVIAR
SIB911DK-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
295mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
115pF @ 10V
Potencia - Máx.
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Número de producto base
SIB911
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIB911DKT1GE3
SIB911DK-T1-GE3TR
SIB911DK-T1-GE3CT
SIB911DK-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIB457EDK-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
7532
NÚMERO DE PIEZA
SIB457EDK-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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