Número de Producto del Fabricante:
SIA850DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA850DJ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 190 V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventario:
12918303
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ENVIAR
SIA850DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
190 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
950mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
90 pF @ 100 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base
SIA850
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA850DJT1GE3
SIA850DJ-T1-GE3-DG
SIA850DJ-T1-GE3CT
SIA850DJ-T1-GE3TR
SIA850DJ-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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