Número de Producto del Fabricante:
SIA432DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA432DJ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventario:
3210 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787304
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIA432DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA432
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA432DJ-T1-GE3TR
SIA432DJ-T1-GE3DKR
SIA432DJ-T1-GE3CT
SIA432DJT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQM40N15-38_GE3
MOSFET N-CH 150V 40A TO263
SQD50P06-15L_GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
