Número de Producto del Fabricante:
SIA430DJT-T4-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA430DJT-T4-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventario:
12920241
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ENVIAR
SIA430DJT-T4-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA430
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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