Número de Producto del Fabricante:
SIA110DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA110DJ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventario:
5350 Pcs Nuevos Originales En Stock
12919878
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ENVIAR
SIA110DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.4A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA110DJ-T1-GE3TR-DG
742-SIA110DJ-T1-GE3DKR
SIA110DJ-T1-GE3CT-DG
SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR
742-SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR-DG
SIA110DJ-T1-GE3CT
742-SIA110DJ-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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