SI9926CDY-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI9926CDY-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI9926CDY-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

7182 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786811
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SI9926CDY-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200pF @ 10V
Potencia - Máx.
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI9926

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI9926CDY-T1-E3-DG
SI9926CDY-T1-E3CT
SI9926CDY-T1-E3TR
SI9926CDY-T1-E3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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