Número de Producto del Fabricante:
SI8819EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8819EDB-T2-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Inventario:
5990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913841
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI8819EDB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 3.7V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 1.5A, 3.7V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paquete / Caja
4-XFBGA
Número de producto base
SI8819
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8819EDB-T2-E1-DG
SI8819EDB-T2-E1TR
SI8819EDB-T2-E1DKR
SI8819EDB-T2-E1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTK90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO264
SI7478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
