Número de Producto del Fabricante:
SI8805EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8805EDB-T2-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventario:
12912518
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ENVIAR
SI8805EDB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
68mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-XFBGA, CSPBGA
Número de producto base
SI8805
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8805EDB-T2-E1-DG
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI8823EDB-T2-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2971
NÚMERO DE PIEZA
SI8823EDB-T2-E1-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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